IXYS IXFN24N100

Описание и технические характеристики IXYS IXFN24N100

IXYS IXFN24N100 – это мощный N-канальный MOSFET транзистор, выполненный в корпусе TO-264 (ISOPLUS247), с напряжением сток-исток 1000 В и током стока 24 А. Применяется в высоковольтных импульсных источниках питания, инверторах, промышленных преобразователях и силовых электронных системах.

Ключевые характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 1000 В
• Ток стока (I_D) при 25°C: 24 А
• Ток стока (I_D) при 100°C: 15 А
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 300 Вт
• Сопротивление канала (R_DS(on)): 0.28 Ом (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 4 В
• Заряд затвора (Q_g): 110 нКл
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C
• Корпус: TO-264 (ISOPLUS247)

Парт-номера и аналоги:

• Прямые аналоги (схожие характеристики и корпус):
  • IXYS IXFN24N120 (1200 В, 24 А)
  • IXYS IXFN28N100 (1000 В, 28 А)
  • IXYS IXFN26N100 (1000 В, 26 А)
  • Infineon IPA60R099CP (600 В, 40 А, но с меньшим R_DS(on))
  • STMicroelectronics STW24N100 (1000 В, 24 А, TO-247)
  • Fairchild FCP24N100 (1000 В, 24 А, TO-247)

Совместимые модели (зависит от схемы):

• В некоторых схемах могут быть заменены MOSFET с близкими параметрами (1000 В, ток ≥24 А, R_DS(on) ≤0.3 Ом, TO-264/TO-247).
• Важно учитывать заряд затвора (Q_g) и динамические характеристики при замене.

Если вам нужен аналог для конкретного применения, уточните условия работы (частота переключения, нагрузка, охлаждение).