V-10FL2-1A

Описание и технические характеристики V-10FL2-1A

V-10FL2-1A – это высоковольтный силовой транзистор IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для применения в мощных инверторах, импульсных источниках питания, промышленных преобразователях частоты и системах управления электродвигателями.

Основные характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | NPT IGBT (Non-Punch Through) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1000 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 20 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 40 А |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 150 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (при I_C = 20 А) |
| Время включения (t_on) | 50 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (3-контактный) |
| Встроенный диод | Да (быстрый обратный диод) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• IXGH20N100A (IXYS)
• FGA20N100ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW20H100DF (STMicroelectronics)

Совместимые модули (если используется в сборках):

• SKM100GB12T4 (Semikron)
• FF100R12KE3 (Infineon)

Применение

• Преобразователи частоты (ЧРП, инверторы)
• Сварочные аппараты (IGBT-инверторы)
• Импульсные блоки питания
• Серводрайверы и управление двигателями

Если вам нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните запрос.