TS5246N160

Описание и технические характеристики TS5246N160

TS5246N160 – это, предположительно, силовой транзистор или модуль (возможно, IGBT, MOSFET или тиристор), применяемый в импульсных источниках питания, инверторах, частотных преобразователях и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики (предположительные):

• Тип: IGBT / MOSFET модуль
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1600 В (если "160" в маркировке означает напряжение)
• Ток коллектора (I_C): 50–100 А (зависит от модели)
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot): 200–500 Вт
• Корпус: TO-247, TO-3P или модульный (например, 62 мм)
• Температурный диапазон: -40°C … +150°C
• Встроенный диод: Да (если MOSFET)

Возможные парт-номера и аналоги:

(Точные аналоги зависят от производителя, но возможны замены на:)

• Infineon: IKW75N65EH5 (650 В, 75 А)
• Fuji Electric: 2MBI100XAA160-50
• Mitsubishi: CM100DY-24H (1200 В, 100 А)
• STMicroelectronics: STGW40H160DF (1600 В, 40 А)

Совместимые модели (зависит от применения):

• Инверторы и ЧПУ: Mitsubishi FR-F740, Delta VFD-E
• Источники питания: Siemens SINAMICS, ABB ACS880

Примечание:

Указанные данные носят предположительный характер. Для точной информации необходимо уточнить даташит производителя (например, Toshiba, Infineon, Fuji Electric). Если у вас есть фото компонента или дополнительные данные, могу уточнить параметры.