IGBT UM75CDY10

Описание IGBT UM75CDY10

IGBT UM75CDY10 – это мощный транзистор с изолированным затвором, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, промышленных приводах и системах управления электродвигателями. Обладает высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики UM75CDY10

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT + диод (в одном корпусе) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1000 В | | Ток коллектора (I_C) | 75 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 150 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤2.0 В (при 75 А) | | Время включения (t_on) | ~35 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.25 °C/Вт | | Корпус | TO-247 (3-контактный) | | Диапазон температур | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и заменители:

• IXGH75N100 (IXYS)
• FGA75N100 (Fairchild)
• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• STGW75HF60SD (STMicroelectronics)

Совместимые модели в других линейках:

• UM50CDY10 (50 А, 1000 В)
• UM100CDY10 (100 А, 1000 В)
• UM75CDY12 (75 А, 1200 В)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Системы управления электроприводами
• ИБП и солнечные инверторы

Если нужны дополнительные параметры (например, графики вольт-амперных характеристик или специфичные данные по тепловым режимам), уточните запрос.