IGBT TO-3P600V

Описание IGBT TO-3P 600V

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) в корпусе TO-3P с рабочим напряжением 600 В – это мощный полупроводниковый прибор, используемый в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах. Корпус TO-3P обеспечивает хороший теплоотвод и механическую прочность.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | Зависит от модели (обычно 10–50 А) |
| Пиковый ток коллектора (I_CM) | В 2–3 раза выше номинального |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,5–2,5 В (при номинальном токе) |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 100–200 Вт (с радиатором) |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Сопротивление открытого состояния (R_DS(on)) | Зависит от модели |
| Время включения/выключения (t_on/t_off) | 50–200 нс |
| Корпус | TO-3P (пластиковый, с металлической подложкой) |

Популярные парт-номера и аналоги:

Infineon:

• IKW40N60H3 (600V, 40A, TO-247 совместимый)
• IKW75N60T (600V, 75A, TO-247)

STMicroelectronics:

• STGW40H60DF (600V, 40A, TO-247)
• STGP20H60DF (600V, 20A, TO-220/TO-3P)

Fuji Electric:

• 2MBI200U4A-060 (600V, 200A, модуль, но есть аналоги в TO-3P)

ON Semiconductor:

• NGTB40N60FL2WG (600V, 40A, TO-263/TO-247)

Mitsubishi Electric:

• CM600HA-24H (600V, 600A, модуль, но есть аналоги в дискретном исполнении)

Toshiba:

• GT60J323 (600V, 60A, TO-3P-совместимый)

Совместимые модели и аналоги:

Некоторые IGBT с аналогичными параметрами (600V, TO-3P или TO-247):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• HGTG20N60A4D (Fairchild/ON Semi)
• FGA25N120ANTD (Fairchild)

Применение:

• Преобразователи частоты
• Индукционные нагреватели
• Сварочные инверторы
• ИБП (источники бесперебойного питания)

Если нужен конкретный аналог для замены, уточните параметры (ток, мощность, производителя).