IGBT SKM75GD121D

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT SKM75GD121D
Описание IGBT модуля SKM75GD121D
SKM75GD121D – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Semikron, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль содержит два транзистора с общим эмиттером (полумостовая конфигурация) и встроенные диоды обратного хода (антипараллельные диоды).
Применяется в:
- Преобразователях частоты
- Инверторах
- Промышленных приводах
- Системах управления электродвигателями
- Источниках бесперебойного питания (ИБП)
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------------------------|--------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Ток коллектора (IC) при 80°C | 75 А |
| Пиковый ток коллектора (ICM) | 150 А |
| Ток диода (IF) | 75 А |
| Падение напряжения (VCE(sat)) | 2,1 В (тип.) |
| Время включения (ton) | 55 нс (тип.) |
| Время выключения (toff) | 330 нс (тип.) |
| Диапазон температур хранения | -40°C до +125°C |
| Корпус | SEMiX 2, изолированный |
| Вес | ~90 г |
Парт-номера и совместимые модели
Прямые аналоги (Semikron)
- SKM75GB121D (аналогичные характеристики, другой корпус)
- SKM75GD124D (1200 В, 75 А, с улучшенными параметрами)
- SKM100GD121D (более мощный, 100 А)
Аналоги от других производителей
- Infineon: FF75R12KE3
- Mitsubishi: CM75DY-12H
- Fuji Electric: 2MBI75L-120
Если требуется точная замена, необходимо сверять параметры (напряжение, ток, конфигурация, корпус).
Нужна дополнительная информация?