IGBT SKM75GB101D

Описание и технические характеристики IGBT модуля SKM75GB101D

SKM75GB101D – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от SEMIKRON, предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других системах с высокими коммутационными нагрузками.

Основные характеристики:

• Тип модуля: IGBT + диод (Half-Bridge / 2 in 1)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1000 В
• Ток коллектора (I_C) при 25°C: 75 А
• Ток коллектора (I_C) при 80°C: 50 А
• Максимальный импульсный ток (I_CM): 150 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 300 Вт
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 2,5 В (тип.)
• Время включения (t_on): 35 нс
• Время выключения (t_off): 200 нс
• Температура перехода (T_j): -40°C ... +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,35 К/Вт
• Корпус: SEMiX 2 (изолированный)

Парт-номера и альтернативные модели:

• SEMIKRON: SKM75GB063D (600V), SKM75GB128D (1200V)
• Infineon: FF75R12KT4 (1200V, 75A)
• Mitsubishi: CM75DY-12H (1200V, 75A)
• Fuji Electric: 2MBI75S-120 (1200V, 75A)

Совместимые модели (аналоги по параметрам):

• SKM75GB063D (600V, 75A)
• SKM75GB128D (1200V, 75A)
• SKM100GB101D (1000V, 100A)

Модуль SKM75GB101D отличается высокой надежностью и подходит для работы в жестких условиях, включая инверторы для электроприводов и промышленные преобразователи частоты. Перед заменой рекомендуется сверять распиновку и характеристики.

Если требуется более высокая нагрузочная способность, можно рассмотреть модули SKM100GB101D или SKM150GB101D.