IGBT skm50gb12t4

Описание IGBT модуля SKM50GB12T4

SKM50GB12T4 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Semikron, предназначенный для использования в силовой электронике, инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями. Модуль содержит два IGBT транзистора с антипараллельными диодами в полумостовой (Half-Bridge) конфигурации.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C) | 50 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Мощность рассеяния (P_tot) | 200 Вт |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2,1 В (при I_C = 50 А) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 200 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,45 °C/Вт |
| Диапазон рабочих температур | -40°C ... +150°C |
| Тип корпуса | SEMiX 2 Press-Fit |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Semikron:

• SKM50GB12T (более ранняя версия)
• SKM50GB128D (с улучшенными характеристиками)
• SKM50GB12V1 (альтернативный вариант)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: FF50R12RT4, FF50R12KT3
• Mitsubishi: CM50DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI50U-120
• IXYS (Littelfuse): MIXA50WB1200T

Применение

Модуль SKM50GB12T4 используется в:

• Промышленных инверторах
• Частотных преобразователях
• Сварочных аппаратах
• Управлении электродвигателями
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)

Модуль обладает высокой надежностью и эффективностью, подходит для замены в ремонте и модернизации оборудования.