IGBT SKM150GAR123D

Описание IGBT модуля SKM150GAR123D

Производитель: Semikron
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного восстановления (RB-IGBT)
Назначение: Мощные преобразователи, инверторы, частотные приводы, сварочное оборудование, системы возобновляемой энергетики.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C): 150 А
• Импульсный ток (I_CM): 300 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 475 Вт
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0.12 К/Вт

Параметры IGBT:

• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 2.1 В (при I_C = 150 А)
• Время включения (t_on): 40 нс
• Время выключения (t_off): 200 нс

Параметры диода:

• Максимальное обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямое падение напряжения (V_F): 1.7 В (при I_F = 150 А)

Механические характеристики:

• Корпус: SEMiX 3 (изолированный)
• Монтаж: Винтовой
• Вес: ~150 г

Парт-номера и совместимые аналоги

Парт-номера Semikron:

• SKM150GB123D (альтернативная версия с похожими параметрами)
• SKM150GAL123D (аналог с другим корпусом)
• SKM150GAR126D (версия на 600 В)

Совместимые модели других производителей:

• Infineon: FF150R12RT4
• Mitsubishi: CM150DY-12S
• Fuji Electric: 2MBI150U2A-120

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Системы управления электродвигателями
• Солнечные инверторы

Если нужны дополнительные параметры (графики, схемы подключения), уточните!