IGBT Ngtb50n120fl2wg

Описание IGBT NGTB50N120FL2WG

NGTB50N120FL2WG — это изолированный затвором биполярный транзистор (IGBT), разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Компонент сочетает высокую эффективность переключения с низкими потерями проводимости, что делает его идеальным для:

• Инверторов и преобразователей частоты
• Сварочного оборудования
• Управления электродвигателями
• Импульсных источников питания

Корпус TO-247 обеспечивает хорошее теплоотведение, а технология Field Stop (FS) снижает потери при переключении.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 100 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2.0 В (при 25 А, 25°C) |
| Мощность рассеяния (P_tot) | 250 Вт |
| Время включения (t_on) | 48 нс |
| Время выключения (t_off) | 320 нс |
| Затворный заряд (Q_g) | 150 нКл |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: IHW50N120R5
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
• STMicroelectronics: STGW50HF120S
• Mitsubishi: CM300DY-24A

Парт-номера On Semiconductor (ныне onsemi):

• NGTB50N120FL2WG (основной)
• NGTB50N120FL2W (вариант без свинца, RoHS)

Совместимые модели в линейке On Semiconductor:

• NGTB40N120FL2WG (40 А, 1200 В)
• NGTB30N120FL2WG (30 А, 1200 В)

Примечания

1. Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, особенно параметры V_CE(sat) и Q_g.
2. Для высокочастотных схем критично время восстановления диода (t_rr).

Если нужны доп. параметры (например, графики зависимостей), уточните!