IGBT MG50J2YS50

Описание IGBT MG50J2YS50

MG50J2YS50 — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT) от Mitsubishi Electric, предназначенный для применения в мощных преобразователях энергии, инверторах и импульсных источниках питания. Этот модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями проводимости и переключения, а также хорошей устойчивостью к перегрузкам.

Основные технические характеристики

1. Электрические параметры

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 50 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 100 А (пиковый)
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): ~2,1 В (при I_C = 50 А)
• Рассеиваемая мощность (P_D): ~200 Вт (зависит от условий охлаждения)
• Время включения (t_on): ~40 нс
• Время выключения (t_off): ~200 нс
• Напряжение затвора (V_GE): ±20 В (рекомендуемое ±15 В)

2. Тепловые характеристики

• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Термическое сопротивление (R_th(j-c)): ~0,35 °C/Вт

3. Конструктивные особенности

• Тип корпуса: модуль с изолированным основанием (например, 1-in-1 half-bridge)
• Монтаж: на радиатор (изолированный или неизолированный)
• Встроенный диод: быстрый обратный диод (FRD)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены от Mitsubishi Electric:

• MG50J2YS50L (возможна модификация)
• MG50J2YS51 (аналог с улучшенными параметрами)
• CM50DY-24H (от Powerex, схожие характеристики)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: FF50R12RT4 (50 А, 1200 В)
• Fuji Electric: 2MBI50N-120
• SEMIKRON: SKM50GB12T4

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Если вам нужно найти точные аналоги или уточнить параметры, лучше свериться с даташитом производителя или обратиться к поставщикам электронных компонентов (например, Digi-Key, Mouser, TME).