IGBT MG100Q2YK1

Описание IGBT MG100Q2YK1

IGBT MG100Q2YK1 – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для использования в высоковольтных и высокотоковых приложениях, таких как:

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Промышленные приводы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой перегрузочной способностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT модуль (NPT) | | Макс. напряжение | 1200 V | | Номинальный ток | 100 A (при 25°C) | | Ток перегрузки | 200 A (кратковременно) | | Мощность рассеивания | 300 W | | Напряжение насыщения | 2.5 V (при 100 A) | | Температура работы | от -40°C до +150°C | | Корпус | Изолированный (Module) | | Крепление | Винтовое | | Схема подключения | Полумост (Half-Bridge) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера:

• MG100Q2YK1 (основной номер)
• MG100Q2YK1-50 (модификация)

Совместимые аналоги:

• CM100DY-24H (Mitsubishi)
• FF100R12YT3 (Infineon)
• FGA100N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• SKM100GB12T4 (SEMIKRON)

Примечания:

1. Перед заменой уточняйте распиновку и характеристики, так как некоторые аналоги могут иметь отличия в схемотехнике.
2. Рекомендуется использовать оригинальный модуль в критичных системах.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните!