IGBT MG100J6ES91

Описание IGBT MG100J6ES91

IGBT MG100J6ES91 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных импульсных устройствах, инверторах, частотных преобразователях и системах управления электродвигателями. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой устойчивостью к перегрузкам и эффективным теплоотводом благодаря изолированному корпусу.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип устройства | IGBT + диод (2 в 1) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 100 А |
| Ток короткого замыкания (I_SC) | 200 А (макс.) |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) при 100 А |
| Макс. рассеиваемая мощность (P_tot) | 330 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,38 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 (изолированный) |
| Встроенный обратный диод | Да (Fast Recovery Diode) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные замены (Mitsubishi Electric):

• MG100J6ES51 (аналог с похожими характеристиками)
• MG75J6ES91 (75 А, 600 В, схожий корпус)
• MG100J6ES40 (альтернативная версия)

Совместимые модели других производителей:

• Infineon: IKW75N60T (75 А, 600 В, TO-247)
• Fuji Electric: 2MBI100U6A-060 (100 А, 600 В, модуль)
• ON Semiconductor: NGTB100N60S3WG (100 А, 600 В, TO-247)
• Toshiba: GT100J6S (100 А, 600 В, TO-247)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• ИБП и солнечные инверторы

Примечание

При замене на аналог необходимо учитывать:

• Соответствие тока и напряжения,
• Распиновку и тепловые характеристики,
• Наличие встроенного диода.

Если нужны более точные аналоги или параметры для конкретного применения, уточните условия эксплуатации.