IGBT mbi150nh-060

Описание IGBT MBI150NH-060

MBI150NH-060 – это изолированный модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, преобразователях и промышленных приводах. Модуль объединяет IGBT и антипараллельный диод в одном корпусе, обеспечивая высокую надежность и простоту монтажа.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (Vces) | 600 В |
| Ток коллектора (Ic) | 150 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (Icm) | до 300 А |
| Напряжение насыщения (Vce(sat)) | ~1.8 В (при 75 А) |
| Рассеиваемая мощность (Ptot) | 300 Вт |
| Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C |
| Сопротивление "тепло-корпус" (Rth(j-c)) | 0.25 °C/Вт |
| Время включения/выключения (ton/toff) | ~50 нс / ~150 нс |
| Корпус | Изолированный (NGBT) |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги:

• Fuji Electric: 2MBI150N-060
• Mitsubishi: CM150DY-24H
• Infineon: FF150R06KE3

Совместимые модели (по параметрам):

• IRG4PH50UD (International Rectifier, 600V, 55A)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics, 600V, 60A)
• HGTG20N60B3 (ON Semiconductor, 600V, 40A)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Примечание

Перед заменой модуля проверьте соответствие характеристик, особенно токовых нагрузок и тепловых параметров. Для точного подбора аналога рекомендуется сверяться с даташитами производителей.

Если нужны дополнительные данные (например, распиновка или графики), уточните!