IGBT IKW25N120T2

Описание IGBT-модуля IKW25N120T2

IKW25N120T2 – это изолированный IGBT-модуль с обратным диодом, разработанный для применения в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах. Модуль сочетает высокую переключаемую мощность с низкими потерями и надежностью.

Основные технические характеристики

Электрические параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C) при 25°C: 25 А
• Ток коллектора (I_C) при 100°C: 15 А
• Максимальный импульсный ток (I_CM): 50 А
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 1.85 В (при I_C = 25 А)
• Мощность рассеивания (P_tot): 130 Вт
• Скорость переключения: высокая (оптимизирована для частот до 20–30 кГц)

Параметры встроенного диода:

• Прямое напряжение (V_F): 1.7 В (при I_F = 25 А)
• Время восстановления (t_rr): ~100 нс

Тепловые характеристики:

• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0.75 °C/Вт

Механические параметры:

• Корпус: TO-247 (3 вывода)
• Масса: ~16 г

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• Infineon: IKW25N120H3, IKW30N120T2
• Fairchild/ON Semi: FGA25N120ANTD
• STMicroelectronics: STGW25N120KD
• Mitsubishi: CM75DY-12H

Совместимые модели с близкими параметрами:

• IR (Infineon): IRG4PC50UD (1200V, 23A)
• Toshiba: GT25Q101 (1200V, 25A)
• IXYS: IXGH25N120B3

Примечание: При замене проверяйте распиновку, характеристики встроенного диода и тепловые параметры.

Области применения

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Управление электродвигателями

Модуль IKW25N120T2 отличается высокой надежностью и подходит для устройств средней мощности с жесткими требованиями к перегрузочной способности.

Если нужны дополнительные параметры (графики, схемы включения), уточните!