IGBT FSBF5CH60BSPM27

Описание IGBT FSBF5CH60BSPM27

FSBF5CH60BSPM27 – это Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) в компактном корпусе, предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в импульсных источниках питания, инверторах и других силовых электронных устройствах. Модуль включает встроенный быстрый диод, что обеспечивает улучшенную защиту от обратных токов и снижение потерь при переключении.

Технические характеристики

• Тип: IGBT с антипараллельным диодом
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C @ 25°C): 5 А
• Ток коллектора (I_C @ 100°C): 3 А
• Пиковый ток (I_CP): 10 А
• Рассеиваемая мощность (P_D): 25 Вт
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 1.5 В (тип.)
• Время включения (t_on): 20 нс
• Время выключения (t_off): 70 нс
• Температура перехода (T_j): от -55°C до +150°C
• Корпус: TO-263 (D2PAK)

Парт-номера и совместимые модели

Аналогичные модели от Fairchild/ON Semiconductor:

• FSBF5CH60B (базовая версия без суффикса)
• FGH5N60B (дискретный IGBT с близкими параметрами)
• FGA5N60 (аналог от Fairchild)

Альтернативы от других производителей:

• IRG4BC30UD (International Rectifier)
• STGP5H60DF (STMicroelectronics)
• HGTG5N60B3D (ON Semiconductor)

Совместимые модули в схожих корпусах:

• FSBF10CH60B (10А, 600В, TO-263)
• FSBF7CH60B (7А, 600В, TO-263)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и частотные преобразователи
• Драйверы двигателей
• Системы управления мощностью

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметрам.