IGBT DM2G100SH6N-dawin

Описание IGBT DM2G100SH6N-DAWIN

IGBT DM2G100SH6N-DAWIN – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования, промышленных приводов и других силовых электронных устройств. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями проводимости и переключения, а также устойчивостью к перегрузкам.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (VCES)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat))
• Встроенный быстрый диод (FRD) для обратного тока
• Высокая перегрузочная способность
• Изолированный корпус для удобства монтажа на радиатор

Технические характеристики

Основные параметры:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В |
| Макс. ток коллектора (IC @ 25°C) | 100 А |
| Макс. импульсный ток (ICM) | 200 А |
| Падение напряжения (VCE(sat) @ 25°C) | ≤ 1.8 В |
| Время включения (ton) | 35 нс |
| Время выключения (toff) | 150 нс |
| Встроенный диод | Да (Fast Recovery Diode) |
| Корпус | модуль (изолированный) |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Тепловые характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.25 °C/W |
| Макс. температура перехода (Tj) | +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и альтернативные парт-номера:

• Infineon: FF100R06KE3
• Fuji Electric: 2MBI100V-060
• Mitsubishi: CM100DY-12NF
• SEMIKRON: SKM100GB066D

Совместимые модели (по характеристикам):

• DAWIN: DM2G75SH6N, DM2G120SH6N
• Infineon: FF75R06KE3, FF150R06KE3
• STMicroelectronics: STGW100H60DF

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Если вам нужна дополнительная информация по замене или специфическим условиям эксплуатации, уточните детали!