IGBT cm20mdl-12h

Описание IGBT модуля CM20MDL-12H

CM20MDL-12H – это IGBT-модуль с номинальным напряжением 1200 В и током коллектора 20 А, предназначенный для применения в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах. Модуль включает в себя два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами в полумостовой (Half-Bridge) конфигурации.

Технические характеристики:

• Тип модуля: IGBT (Half-Bridge)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 20 А
• Ток импульсный (I_CM): 40 А
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,5 В (тип.)
• Время включения (t_on): 80 нс
• Время выключения (t_off): 200 нс
• Интегрированный диод: Да (Fast Recovery Diode)
• Термическое сопротивление (R_th(j-c)): 1,5 °C/Вт
• Корпус: стандартный изолированный (например, 17-выводный)
• Рабочая температура: -40°C до +150°C

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей:

• Infineon: FF20R12YT3
• Fuji Electric: 2MBI20N-120
• Mitsubishi: CM20MDL-12H (оригинал)
• SEMIKRON: SKM20GB12T4
• ON Semiconductor: NGTB20N120FL2WG

Совместимые модели (схожие по параметрам):

• CM10MDL-12H (10 А, 1200 В)
• CM30MDL-12H (30 А, 1200 В)
• CM50MDL-12H (50 А, 1200 В)
• CM75MDL-12H (75 А, 1200 В)

Применение:

• Преобразователи частоты
• Инверторы для электроприводов
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные аппараты
• Промышленные системы управления

Если вам нужна дополнительная информация по распиновке или схемам подключения, уточните запрос.