IGBT BSM75GB120DN11

Описание IGBT модуля BSM75GB120DN11

BSM75GB120DN11 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, частотных приводов и сварочного оборудования. Модуль выполнен в стандартном корпусе 34 мм, содержит два IGBT и два диода в полумостовой (Half-Bridge) конфигурации.

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность и надежность
• Низкие потери проводимости и переключения
• Встроенные свободно-колебательные диоды (FRD)
• Гальваническая изоляция основания (2500 В)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 100 °C | 75 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 150 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.0 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 90 нс |
| Время выключения (t_off) | 450 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.25 °C/Вт |
| Рабочая температура (T_j) | -40 °C … +150 °C |
| Корпус | 34 мм, полумост (Half-Bridge) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги:

• Infineon BSM75GB120DN2 (устаревшая версия)
• Infineon BSM75GB120DLC (альтернативный вариант)
• SEMIKRON SKM75GB12T4
• Fuji Electric 2MBI75U4H-120

Совместимые модели (с проверкой распиновки!):

• Mitsubishi CM75DY-12H
• Powerex CM75DU-12NF
• IXYS IXGH75N120B3

Применение:

• Промышленные инверторы и ЧПУ
• Сварочные аппараты
• Электроприводы и системы управления двигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется замена, важно учитывать распиновку и тепловые характеристики! Рекомендуется проверять datasheet перед установкой.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!