IGBT BSM50GB120DN1

IGBT BSM50GB120DN1
Артикул: 297088

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT BSM50GB120DN1

Описание IGBT BSM50GB120DN1

BSM50GB120DN1 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль включает в себя два IGBT транзистора с антипараллельными диодами, что делает его пригодным для инверторов, преобразователей частоты и других силовых электронных устройств.

Основные особенности:

  • Высокое напряжение коллектор-эмиттер (VCES = 1200 В)
  • Ток коллектора (IC = 50 А)
  • Низкие потери проводимости и переключения
  • Встроенные быстрые диоды
  • Изолированный корпус для удобного монтажа на радиатор
  • Высокая надежность и термостабильность

Технические характеристики

Основные параметры:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Макс. ток коллектора (IC) при 25°C | 50 А |
| Макс. ток коллектора (IC) при 80°C | 30 А |
| Макс. импульсный ток (ICM) | 100 А |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2,5 В (тип.) |
| Время включения (ton) | 55 нс |
| Время выключения (toff) | 360 нс |
| Встроенный диод | Да (антипараллельный) |
| Корпус | модуль (Half-Bridge) |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,45 °C/Вт |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Диодные характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Макс. прямой ток (IF) | 50 А |
| Прямое падение напряжения (VF) | 1,7 В (тип.) |
| Время восстановления (trr) | 120 нс |


Парт-номера и аналоги

Оригинальный номер:

  • BSM50GB120DN1 (Infineon)

Прямые аналоги и совместимые модели:

  • CM50DY-12H (Mitsubishi)
  • MG50Q2YS40 (Fuji Electric)
  • SKM50GB128D (Semikron)
  • FF50R12RT4 (Infineon) – близкий аналог с похожими характеристиками

Применение

  • Преобразователи частоты
  • Инверторы (солнечные, промышленные)
  • Сварочные аппараты
  • Управление электродвигателями
  • Импульсные источники питания

Модуль BSM50GB120DN1 подходит для замены в схемах, где требуется напряжение 1200 В и ток до 50 А. При выборе аналога важно учитывать параметры VCES, IC и конструкцию корпуса.

Если нужна дополнительная информация по заменам или datasheet – уточните!

Товары из этой же категории