IGBT 7MBR35SB120B

Описание IGBT-модуля 7MBR35SB120B

7MBR35SB120B — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным диодом, разработанный для высокоэффективных инверторных систем и мощных преобразователей энергии. Модуль выполнен в компактном корпусе с изолированным основанием, что упрощает монтаж на радиатор.

Основные области применения:

• Промышленные частотные преобразователи
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование
• Солнечные инверторы

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|--------------------------------------| | Класс напряжения | 1200 В | | Ток коллектора (IC) | 35 А (при 25°C) | | Ток коллектора (IC) | 22 А (при 100°C) | | Макс. импульсный ток (ICM) | 70 А | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.1 В (тип.) при 35 А | | Время включения (ton) | 40 нс | | Время выключения (toff) | 200 нс | | Интегрированный диод | Да (FRD) | | Термосопротивление (Rth(j-c)) | 0.45 °C/Вт | | Корпус | 7MBR (стандартный модуль) | | Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Эквиваленты и совместимые модели

Парт-номера и аналоги:

• Fuji Electric: 7MBR35SB120B (оригинал)
• Mitsubishi: CM35DY-12H
• Infineon: FF35R12KE3
• Semikron: SKM35GB12T4
• IXYS: MIXA35WB1200T

Совместимые модули (аналогичные по характеристикам):

• 7MBR25SB120B (25 А, 1200 В)
• 7MBR50SB120B (50 А, 1200 В)
• 7MBR75SB120B (75 А, 1200 В)

Ключевые особенности:

✅ Высокое напряжение (1200 В) подходит для промышленных применений
✅ Интегрированный обратный диод (FRD)
✅ Низкие потери при переключении
✅ Изолированный корпус для простого монтажа

Если требуется альтернатива с другими параметрами (например, более высокий ток), можно рассмотреть 7MBR50SB120B (50 А) или 7MBR75SB120B (75 А).

Нужна дополнительная информация? Готов уточнить! 🚀