IGBT 75GP120

Описание IGBT 75GP120

IGBT 75GP120 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и других силовых приложений. Модуль сочетает высокую эффективность, низкие потери при переключении и устойчивость к перегрузкам, что делает его пригодным для промышленного и автомобильного использования.

Технические характеристики

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 75 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 150 А (импульсный)
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot): 300 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 2,5 В (при 75 А)
• Время включения (t_on): 50 нс
• Время выключения (t_off): 200 нс
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,25 °C/Вт
• Корпус: TO-247 (возможны модификации)
• Рабочая температура: -40°C до +150°C

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги:

• Infineon: IKW75N120T2
• Fuji Electric: 2MBI75U4H-120
• Mitsubishi: CM75DY-24H
• STMicroelectronics: STGW75HF120W

Совместимые модели (с проверкой распиновки):

• IRG4PH50UD (International Rectifier) – 55 А / 1200 В
• IXGH75N120B3 (IXYS) – 75 А / 1200 В
• APT75GP120B (Microsemi) – 75 А / 1200 В

Применение

• Силовые инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Импульсные источники питания
• Промышленные преобразователи частоты

Если требуется уточнение по конкретному аналогу или корпусу, укажите дополнительные параметры.