IGBT 6mbi25n-120

Описание IGBT 6MBi25N-120

6MBi25N-120 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для управления высокими напряжениями и токами в силовых электронных устройствах. Модуль выпускается в корпусе с изолированным основанием, что упрощает монтаж на радиатор.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 25 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (I_CM) | 50 А |
| Мощность рассеяния (P_tot) | 150 Вт |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2,0 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 0,3 мкс |
| Время выключения (t_off) | 0,8 мкс |
| Диод обратного восстановления (V_RRM) | 1200 В |
| Температура хранения/эксплуатации | -40°C … +150°C |
| Корпус | 6MBi (изолированный) |

Парт-номер и совместимые модели

• Оригинальный номер: 6MBi25N-120 (Fuji Electric)
• Аналоги и совместимые модели:
  • STGW25NC120 (STMicroelectronics)
  • IRG4PC50UD (Infineon)
  • CM75DY-24H (Mitsubishi)
  • SKM75GB12T4 (Semikron)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные приводы

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять спецификации по напряжению, току и характеристикам переключения.