IGBT 6MBI25J120

Описание IGBT модуля 6MBI25J-120

6MBI25J-120 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Mitsubishi Electric, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых приложений. Он широко используется в инверторах, частотных преобразователях, системах управления электродвигателями, источниках бесперебойного питания (ИБП) и промышленных силовых установках.

Модуль выполнен в корпусе 25-го типоразмера (6MBI25) и содержит 2 IGBT-транзистора с антипараллельными диодами (полумостовая конфигурация).

Технические характеристики 6MBI25J-120

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------| | Тип модуля | Полумост (2 в 1) | | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Ток коллектора (IC @25°C) | 25 А | | Ток коллектора (IC @80°C) | 15 А | | Импульсный ток (ICM) | 50 А | | Мощность рассеивания (PD) | 150 Вт | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.0 В (тип.) | | Время включения (ton) | 0.35 мкс | | Время выключения (toff) | 1.3 мкс | | Диод обратного восстановления (trr) | 0.25 мкс | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.63 °C/Вт | | Рабочая температура | -40°C ... +125°C | | Корпус | Изолированный (с термопастой) |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги от Mitsubishi:

• 6MBI25J-120-01 (обновленная версия)
• 6MBI25J-120-50

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: FF100R12RT4 (100A, 1200V, полумост)
• Fuji Electric: 6MBI25J-120 (аналогичный код)
• SEMIKRON: SKM75GB12T4 (75A, 1200V)
• ON Semiconductor: NXH75B120H2Q1 (75A, 1200V)

Примечание: При замене необходимо учитывать электрические и тепловые параметры, а также разводку выводов.

Типовые применения:

• Преобразователи частоты (ЧПУ)
• Сварочные инверторы
• ИБП и солнечные инверторы
• Системы управления электродвигателями

Если нужна более детальная информация (структурная схема, графики характеристик), уточните запрос.