IGBT 40N120

IGBT 40N120: Описание и технические характеристики

Описание:
IGBT 40N120 — это изолированный затворный биполярный транзистор (IGBT), рассчитанный на напряжение 1200 В и ток 40 А. Предназначен для использования в мощных преобразовательных устройствах, инверторах, сварочных аппаратах, системах управления электродвигателями и других силовых электронных приложениях.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Максимальное напряжение (V_CES) | 1200 В | | Максимальный ток (I_C) | 40 А (при 25°C) | | Ток в импульсе (I_CM) | 80 А | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2,5 В (при 25 А, 25°C) | | Время включения (t_on) | ~50 нс | | Время выключения (t_off) | ~300 нс | | Максимальная рабочая температура | 150°C | | Корпус | TO-247 (возможны другие варианты) | | Затвор-эмиттерное напряжение (V_GE) | ±20 В |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW40N120H3, IKW40N120T2
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA40N120ANTD
• STMicroelectronics: STGW40NC120KD
• IXYS: IXGH40N120B3
• Toshiba: GT40QR21

Совместимые модели (похожие характеристики):

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• CM75DY-24H (Mitsubishi)
• NGGB40N120LWG (ON Semiconductor)

Данный транзистор может быть заменен аналогами с близкими параметрами по напряжению, току и корпусу. Однако перед заменой рекомендуется проверять datasheet на соответствие требуемым характеристикам.

Если у вас есть конкретное применение, уточните — помогу подобрать оптимальную замену!