IGBT 4063D

IGBT 4063D – это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений, таких как инверторы, импульсные источники питания, двигатели и промышленные преобразователи.

Технические характеристики:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): до 40 А (при 25°C)
• Максимальный импульсный ток (I_CM): до 80 А
• Рассеиваемая мощность (P_D): 200 Вт
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~1,8 В (при I_C = 20 А)
• Время включения (t_on): ~40 нс
• Время выключения (t_off): ~150 нс
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C
• Корпус: TO-247 (3 контакта)

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA40N60SFD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG40N60C3 (Microsemi)
• IXGH40N60C3D1 (IXYS/Littelfuse)

Совместимые модели (с проверкой распиновки):

• STGW40H60DF (STMicroelectronics)
• MG4063D (Mitsubishi Electric)
• APT40GF60J (Microchip Technology)

Применение:

• Преобразователи частоты (ЧРП)
• Сварочные инверторы
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Управление электродвигателями

Если вам нужен точный аналог, рекомендуется сверять datasheet по параметрам V_CES, I_C и корпусу. Некоторые замены могут требовать доработки схемы.