IGBT 3mt16kb

Описание IGBT модуля 3MT16KB

IGBT-модуль 3MT16KB — это высоковольтный транзистор с изолированным затвором, предназначенный для применения в силовой электронике, включая инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями. Модуль сочетает в себе IGBT-транзисторы и диоды в одном корпусе, обеспечивая высокую эффективность и надежность в мощных преобразовательных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (DUAL) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1600 В | | Номинальный ток (I_C) | 15 А (при 25°C) / 30 А (пиковый) | | Ток диода (I_F) | 15 А (при 25°C) | | Мощность рассеивания (P_tot) | до 100 Вт (с радиатором) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2.1 В (при номинальном токе) | | Время включения (t_on) | ~60 нс | | Время выключения (t_off) | ~200 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.75 °C/Вт | | Корпус | 3-контактный (TO-247 или аналог) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги

Модуль 3MT16KB может иметь аналоги от других производителей, а также схожие по параметрам модели:

• Прямые аналоги:

  • IRG4PH40KD (International Rectifier)
  • FGA15N160 (Fairchild/ON Semiconductor)
  • HGTG15N160 (Microsemi)
  • STGW30NC160WD (STMicroelectronics)

• Совместимые модели в схожих корпусах:

  • IXGH16N160 (IXYS)
  • APT15GN160J (Microchip)
  • MG16100W1 (Littelfuse)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы (солнечные, промышленные)
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями

Если вам нужна точная спецификация для конкретного производителя, уточните бренд (например, Mitsubishi, Infineon, Fuji), так как обозначение 3MT16KB может встречаться у разных вендоров.