IGBT 10NAB12T4V1

Описание IGBT 10NAB12T4V1

IGBT 10NAB12T4V1 – это силовой транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления двигателями. Модуль обладает низкими потерями проводимости и высоким быстродействием, что делает его пригодным для промышленных и автомобильных применений.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |--------------------------|--------------------------| | Тип устройства | IGBT + диод (в одном корпусе) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 10 А (при 25°C) | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 20 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 50 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 35 нс | | Время выключения (t_off) | 120 нс | | Тепловое сопротивление (R_thJC) | 1.5 °C/Вт | | Диапазон рабочих температур | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (возможны вариации) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• STGW10NC120HD (STMicroelectronics)
• IXGH10N120 (IXYS)
• IRG4PC50UD (Infineon)
• FGA10N120 (Fairchild/ON Semiconductor)

Совместимые модули (если 10NAB12T4V1 – это часть сборки):

• 10NAB12T4 (упрощенная версия)
• 10N120B4 (альтернативная маркировка)

Если у вас есть дополнительные данные о производителе (Infineon, ST, Mitsubishi и др.), можно уточнить точные аналоги.

Применение

• Инверторы для электродвигателей
• Импульсные блоки питания
• Сварочное оборудование
• Системы управления энергией

Нужна более точная информация? Уточните производителя или схему применения!