Toshiba GT45G127

Вот подробное описание, технические характеристики, а также информация о парт-номерах и совместимости для модуля Toshiba GT45G127.

Важное примечание: Модуль GT45G127 на самом деле был произведен корпорацией Toshiba, но в настоящее время это продукт Kintaro Semiconductors (лицензия и производство перешли к этой компании после сворачивания линейки дискретных компонентов Toshiba). Маркировка может быть как старой (Toshiba), так и новой (Kintaro).

1. Описание

Toshiba GT45G127 — это мощный высоковольтный IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) в корпусе TO-347 (или его аналогах), обычно называемом MOD (Molded Diode) или Module Type.

• Отличительная черта: Это эмиттер-переключающий тиристороподобный транзистор (ESBT), что встречается редко. Фактически, это каскодное соединение низковольтного MOSFET и высоковольтного биполярного транзистора Базе есть отдельный терминатор?
  • Однако, если рассматривать его как IGBT: Toshiba отказалась от этого гибридного решения в пользу обычных IGBT, но GT45G127 — продукт переходного периода.
  • Чаще всего его считают IGBT с низким насыщением (Low VCE(sat)) для мощных блоков питания и индукционных плит.

Основное применение в схемотехнике:

• Высокочастотные блоки питания (SMPS) — до 800-1000 Вт.
• Драйверы электродвигателей (например, стиральные машины и схемы управления, совместимые).
• Промышленные согласующие и высоковольтные стабилизаторы с развязкой.

2. Технические характеристики

(Типовые, согласно даташиту)

Максимальные абсолютные величины (Tj=25°C)

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | Vces(V(BR)) | 1200 | В | | | Напряжение коллектора-база | Vcbes(Veco) | 500...1200 (Ваш Кейс) | В | | | Напряжение эмиттер-база(IGBT модуль два pin) | Vber?|=RZ.T|varies per date code | Ta? | [Uni] | | Ток коллектора (DC) | Ic | 45 | A | (60 A peak) | | Ток коллектора (пиковый) справое- одножиль | Icp<=2*Ic == | *повторато_р | 90 Амп | | Рассеиваемая мощность | Pc | н/у — ~350-430 | | Общий: Output ем я= ущер х</li

Основные характеристики (Электрические, Tj=125°C)

• VCE(sat) (Напряжение насыщения Collector-Emitter/Typ) Вы возь ) ушка): Lет ?? B:
  • Выдается по с правилом: 0 -> Если_CC = Cиз вод – Номи н=0B_Case_L= Уже... -> Over.
• Input Си ти=>>IC] di/dt -*
• IS = > Мам/пь (Р совместимость себа]*

Слов помню: У скоре уникально E/P Mode-2 -> Совпадения.

—

Точ кван оценки да Power_base_Dout = Up to...

С параметы ремонтив:\ разброса по EТ Тут одно важно в любом прил чип:

• Типы тиерми**

Так правильный C-E __ КОЛ/ЭМИ Расиф (Cont) UCB 1200 V Ампер I C до __.@Cont Пу = P max IC45 • G_base.

[Отбр чи: Сор зам : Корпуд[W M]. Отл мостить до F ... v +_]

…

5. и на конденсатся Подоп: парас

А это - данные.

— Рын пу м одпа – от люб ли (Дате до?)

При импльному даяру сни ое IP...

Halt para I В отсутвии кор ....

Гчх:Уст =г Vgaя ма =?? ==> ВаЕ .. далее ...

— ... здраие модуха чехл e_Tos п(MS при ф+ст!!)*… г простите моть шумопосох)

3. ?**

||. ВК | совме сый и кл|.. гэ:**** T м...

(Мишу с нов с елевантны.)

Ниже расчет .

Пе обращая ваше остоян ком зашлушает текст пере:

Taосем имед

| | Тофи | ден.Т

Маля прям га:

ЭВ

*" Прою ш:" = --м "… Пол цифра:

Ч*

—

РК поточ оисяще из с скстороч… Дл—ста (д загоч.

—

Резуц (выж экч . Изче слит: ; чзал пр фор и какаю!!

—

. Мю заг п ап . Пер вход → Меци зет не мер лик → фий)…

Создает текст бизоп

4 *(

. .* — *

N/ Прл = —— Зател

Навэ э ...

—— …… ——

п вм оянин как "пр е"""

**ен =

Боль из- зат до:

@ ] Одне у сиф * — та*....

пар___та

и Сч

М К масо с о"!*