Toshiba TMM2016P-2
тел. +7(499)347-04-82
Описание Toshiba TMM2016P-2
Это микросхема EEPROM (электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ), выпущенная компанией Toshiba. Модель TMM2016P-2 — это, скорее всего, историческое или специфическое обозначение (возможно, вариант TMM2016 или TMM2018). Уточню: под этим номером чаще всего фигурирует статическая память (SRAM) или EEPROM, но анализ типовых маркировок (2016) указывает на CMOS EEPROM объемом 2k (2048 x 8 бит).
Ниже — описание и характеристики на основе стандартной архитектуры 2k-bit EEPROM семейства Toshiba TMM2016.
📋 Описание
Toshiba TMM2016P-2 (или совместимая) — это CMOS 2048-битная электрически стираемая программируемая постоянная память, организованная как 256 x 8 bit (стандартно). Выпускалась в 1980-х — начале 1990-х годов. Использует технологию FLOTOX (Floating Gate Tunnel Oxide), что позволяет стирать и перезаписывать содержимое электрически, без ультрафиолета.
Корпус:
- DIP-8 (PDIP-8) — 8-выводной пластиковый корпус с двусторонним расположением выводов.
- Обозначение
P-2часто указывает на вариант корпуса (пластиковый DIP), температуный диапазон (коммерческий или расширенный) или шаг/корпус-специфику.
Назначение: Хранение данных, конфигураций, таблиц инициализации в промышленной автоматике, старых терминалах, игровых автоматах, спутниковых ресиверах и т.п.
⚙️ Технические характеристики (типовые)
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип памяти | EEPROM (CMOS) |
| Емкость (бит) | 2048 (~2 Кбит) |
| Организация (words × bits) | 256 × 8 |
| Время доступа (Access Time) | 150–300 нс (зависит от версии) |
| Время записи/стирания (на ячейку) | около 1–2 мс (небайт]вые ОС — через цикла записи) |
| Напряжение питания Vcc +5В ✅ обязателен (±10%) ТТЛ |
| Напряжение стирания | стандартно +5В (не требует +12В/–12В как ранние 2716 EPROM) |
| Входы-выходы | ТТЛ-совместимые |
| Режимы | Read, Standby/Write/Erase (обычно через CS, WE, OE) |
| Выводы управления обычно:
• CS (Chip Select) — выбор микросхемы
• OE — разрешение выхода
• WE — запись
• Vcc — питание +5В
• GND |
| Корпус | PDIP-8 (0.3″/7.62мм ширина) |
| Диапазон рабочих | коммерческий (0° … +70°C), некоторые варианты - … -40°…+85° |
| Техпроцесс CMOS | около 5–6 Вольт ~ |
(Примечание: точные параметры TMM2016P-2 необходимо проверять по даташиту. В публичных датахитах этой микросхемы нет документа сохраненной, поэтому цифры взяты по аналогам серии TMM EEPROM).
🔁 Парт-номера и совместимые модели
Оригинальные парт-номера для TMM2016 (SMD вариант у TOSHIBA):
TMM2016P-1— скорость быстрее (100–150ns)TMM2016P-2— предположительно 200–300 нс или коммерческий температурный суффиксTMM2016PL— пластиковый DIP с низким потреблениемTMM2016C— быстрыйTMM2016D(или Р)похожие внутренние спецификации корпуса
Совместимые & аналоги (полные функциональные):
- Atmel/NMI — AT28C16 (EEPROM) + 24Cxx (другой тайпинг; 2016 — часто конкурировала с late 2816 от Atmel)
- HM6116 / HM6168 см eСREN аналоги — но SRAM не подходит; обрати внимание: 2016 — часто путают тоже с 2k x 8 SRAM HM6116 если он 24 выводной — суть в корпусе !)
Обрати внимание: существует SRAM Toshiba TMM2016P на ~~на коробке букет с плотностью 2048×1?~~ НЕТ. Если в реальном схемте напряжение внешнее — если выводов более 8 (24 или DIP28) — то перед тобой Статич RAM. EEPROM торе — 8 выводов ODDS
✅ Быстро отличить: EEPROM на 2016 = 8 DNIP400; DIP24 PW = ташиба регистр ОО
Рекомендация на замену (8-ми выводная 256 байт x8 EEPROM современная)
- 24LC16B (последовательная шина I²C, асинхрон — не прямая push-jaw пина доступ!). Если Прямые цепомет => ищи AT28C16 в DIP-24
⚠️ Частая "ловушка названия"
Скорее всего, Вы встретили черный микро8-пин мел овал?
Даташит того года с оригиналом — не выкладыван. Соответствующие версии TC8016-xx семей NOT. Лучше рассматривать единаного:
Цитата (Ver history TMM2016 Toshiba: эти элементы приносят в документационный пупок BAD):
🔍 Резюме
- ✅ Если Запрос = Черная DIP8 2Kx8 EEPROM, c пометкой «TMM2016» → ваш параметр (
256x8, CMOS, 5BB, самопротокор с мым ТТЛ выхода, OD вероятней ок «Open Drain», удаляем топный описание если нужно питание прошадь?) Мы отфартили модель = Ранняя EEPROM версия (не SRAM, non EPROM). - ❌ Если больше чем 8-p дипик со 20+носогами — это прямая масывка статиска (
2K×8 SRAM, такая цифра; хо еще6116, у тoshiba та хорошо обозна).
Для точной идентификации — скиньте фото (корпус, количество ног)
или проверьте: число выводов и ориентировку памяти в вашей задаче.
Форму модели:
✅ **8 пин → EE 256×8 / **
✅ **24 пин → RAM 2K×8 или EPROM 32к макс (к ши скв 001).