Semiconductor MJH11022G

Отличный выбор транзистора. MJH11022G — это мощный высоковольтный биполярный NPN-транзистор, известный своей надежностью в импульсных и линейных схемах.

Описание

MJH11022G — это кремниевый NPN-транзистор, изготовленный по технологии "Triple Diffused Planar", что обеспечивает ему высокую устойчивость к вторичному пробою и безопасную рабочую область (SOA). Он предназначен для применения в:

• Импульсных источниках питания (офлайн-SMPS)
• Строчной развертке в телевизорах и мониторах (horizontal deflection)
• Высоковольтных линейных стабилизаторах
• Индукционных нагревателях
• Системах зажигания

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер: до 1500В.
• Высокая скорость переключения: благодаря встроенном демпферном диоде.
• Расширенная область безопасной работы (SOA): позволяет работать с высокими напряжениями и токами одновременно.
• Прочный и надежный корпус TO-3P (TO-247): обеспечивает хороший отвод тепла.

Технические характеристики (основные)

Приведены типовые/максимальные значения при T=25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжения | | | | | Коллектор-Эмиттер (макс.) | V_CEO | 1500 В | | | Коллектор-Эмиттер (с обор. смещ.) | V_CER | 1500 В | R_BE = 100 Ом | | Коллектор-База | V_CBO | 1500 В | | | Эмиттер-База | V_EBO | 9 В | | | Токи | | | | | Постоянный ток коллектора | I_C | 8 А | | | Импульсный ток коллектора (макс.) | I_CM | 16 А | | | Ток базы (макс.) | I_B | 2.5 А | | | Рассеиваемая мощность | | | | | При T_c=25°C | P_C | 125 Вт | На теплоотводе | | Временные параметры | | | | | Время включения | t_on | 0.5 мкс | | | Время выключения | t_off | 3.0 мкс | | | Коэффициент усиления | h_FE | 8 - 40 | При V_CE=5В, I_C=4А | | Температура | | | | | Переход-корпус | R_thJC | 0.625 °C/Вт | Тепловое сопротивление | | Макс. температура перехода | T_j | 150 °C | | | Температура хранения | T_stg | -65 ... +150 °C | |

Парт-номера и совместимые модели (Аналоги)

MJH11022G является частью большого семейства транзисторов. При поиске замены важно сверять распиновку (pinout) и ключевые параметры (V_CEO, I_C, h_FE, скорость).

Прямые аналоги (с максимально близкими параметрами):

• MJE13009 — один из самых популярных и доступных аналогов, но с более низким V_CEO (400В). Подходит для многих блоков питания, где напряжение ниже.
• 2SC5144 (от Toshiba) — практически полный аналог.
• 2SC5244 (от Toshiba) — очень близкие характеристики.
• BUT11A, BUT11AF — классические аналоги, но с чуть меньшим V_CEO (1000В).
• KSE13009 — часто используется как замена в ремонте.
• STH13009 (от STMicroelectronics).

Модели из того же семейства On Semiconductor (с разными характеристиками):

• MJH11021G — версия с более низким V_CEO (1200В).
• MJH11023G — версия с более высоким V_CEO (1700В).
• MJH16006A / MJH16008A — транзисторы с изолированным фланцем (Isolated Tab) в корпусе TO-3P.

Важные замечания по замене:

1. Распиновка: У большинства аналогов в корпусе TO-3P (TO-247) распиновка стандартная: 1-База, 2-Коллектор, 3-Эмиттер. Однако всегда проверяйте даташит на конкретную модель.
2. Характеристики: При замене на аналог с более низким напряжением (например, на MJE13009) убедитесь, что в вашей схеме пиковые напряжения не превышают возможности замены.
3. Производители: Оригинальный производитель — On Semiconductor (ныне часть компании onsemi). Аналоги выпускают STMicroelectronics, Toshiba, Fairchild (также часть onsemi), MCC, NCE и другие.

Рекомендация: Перед заменой всегда сверяйтесь с техническим описанием (datasheet) как оригинальной детали, так и предполагаемого аналога, особенно разделы Absolute Maximum Ratings и Safe Operating Area (SOA).