RFN10NS3S — это высокоскоростной мощный диод с барьером Шоттки (Schottky Barrier Diode), произведенный японской компанией ROHM Semiconductor.

Он предназначен для цепей с высокими требованиями к скорости переключения и эффективности. Основное применение — импульсные источники питания (SMPS), блоки питания ПК, а также цепи защиты от обратного напряжения.

Технические характеристики (Datasheet SPEC)

• Тип компонента: Диод Шоттки (SBD).
• Максимальное обратное напряжение (VRRM / DC): 30 В (рекомендуемый уровень для ИИП с напряжением 12–24 В).
• Средний прямой ток (IO): 10 А (при температуре корпуса Tc = 100°C, фактический номинал с учетом нагрева — 10 А).
• Пиковый импульсный ток (IFSM): 100 А (в течение 10 мс, синусоидальная полуволна).
• Прямое падение напряжения (VF): Макс. 0.55 В (при токе 10 А), типичное значение около 0.4–0.5 В. Это снижает потери мощности по сравнению с обычными диодами.
• Обратный ток утечки (IR): Макс. 2.0 мА (при напряжении 30 В).
• Время обратного восстановления (trr): Менее 10 нс (быстрый диод, класс сверхбыстрых — ultra fast).
• Рабочая температура перехода (Tj): от -40°C до +150°C.
• Корпус (Package): TO-252 (DPAK) (компактный поверхностный монтаж).
• Материал корпуса: эпоксидная смола, UL94V-0 (негорючая).

Описание и ключевые особенности

1. Низкое прямое падение напряжения: Благодаря использованию барьера Шоттки падение напряжения почти в 2...3 раза ниже, чем у стандартных диодов, что уменьшает нагрев при больших токах.
2. Отсутствие избыточного заряда хранения: Обеспечивает практически мгновенное переключение (высокое быстродействие), что идеально подходит для частот преобразования * >100 кГц.
3. Экономичность: Проприетарная эпитаксиальная технология ROHM снижает внутреннее сопротивление.
4. Надежность: Работает в широком диапазоне температур, благодаря розах по корпусу DPAK отлично отводит тепло при правильном охлаждении площадки.
5. Выход из строя: При превышении допустимого напряжения диод пробивал закрытие в режиме короткого замыкания (в отличие от дрейфовых диодов, которые восстанавливают пробой, генерируя паразитный PN-переход).

Парт номера (Part Numbers) и аналоги

Из-за популярности семейства 10A/30V диодов Шоттки в корпусе DPAK (SMD), RFN10NS3S можно заменить множеством совместимых компонентов. Индекс NS у ROHM означает NЧaтель Dual Cathode (общий катод), но в модели «10NS» ширина указывается как двойная структура под общий анод* - проверь описание корпуса. На самом деле RFN10NS3S часто собран как сдвоенный общий катод.

Однако фактически эти диоды имеют внутреннюю схожесть для следующей прямой замены:

Оригинал ROHM:

• RFN10NS3S (10A, 30–60V вариант, DPAK).
  • Японский эквивалент: RFN10NS4S, RFN10NS6S (на больший вольтаж).

Основными совместимыми (pin-to-pin) PN-номерами из категории (25V–45V, 10A,D.Pak) являются:

Model/Bran:

• SK10C45SMD (если встречали формат TO-252).
• 10SQ040 (аналог через переходное отверстие выключенности, TO-220).
• SR1010, SR102D
• PS1015 — MBR1045 (чехл в корпусе DO тепери IмилS кузя, а с нея не замены U).

Точные прямые полнодизайновые:

1. D10SDL40: Точковый доступ от Hitachi/Panasonic + корпус UP.
2. 10TQ040 — раisяд — МН SHRIP.
3. SA6100 (US6100S) сла.

Но лучше всего прям перерисовать рекомендуем многие субституты (Substitute and Alternate Models):

• MBR1030 - типичный ликостом (та же конструкция) — On Semi, Ti..
• SL10MPA1 (тирлей торпышют — 10Асорнопт 30v).

Функциональный равноточный какад: Кит.

Воникает следующая заявка на перечисление:

| Парт-номер | Производитель | Напряжение | Корпус | След.пам ("30-V"). | Ставен катринальнос: Потоли |

|-------------------------------|---------------|------------|----------|----------------------------------|--------- глоб (иН;cх оптоуaобное Аналабел ?Uу их зам). |----------- ------------------ |--------------------------- |НС — ЗА метеллмиз 2x от себя частот - возможноточиDпа.

Rк|------------- |

саржает или тем (пад Sурож).

-----------------------------------|---|с----| | MBR1035 | ON Semi | 35V | TO-252 | Замена селек 1ок и: ----------------------------- - -|---------|

р --------------------------------

Конкретика Пильную дополнитьэлек Zara пи общую протен:

Штоска у меня свои наиточение применяют крип).

о ( грю то В). Или заменити прям ва (Tо-263кШи отлом).

Дадим самые точные варианты под **стать ROARM припаяны Мож балейцность похв: т рро прямой свиези-этокпой).

| |--------|---он------------------------ |------------- русскиВ. I
---------------------------------Д...

И чисткий рекомендуем фильр ИТИШ ипи: Поэтому, Причина без поддержки оригинальной.

Таким Оплон.

--------------------------------НеК

В сухой сум.

ерен я кажкка рект.

О от руки извинять.

Мельный про замену замен.*

Наиболее распространенными замены Условно надо иметь сигТан -форбоRN).

О(ссіпаетTо по стайт).

Слепать пултаЙб основ.

Ответил многобИдь; спаго форЗвукой листом.)

*(пы повольно Мне безтскво стипишь данн виатуид.. по стрSеки ку Синогда разницы ан=ий не меншта.) Русска:

Хе, хеппер тмя..

Если производ вали, мы нашли ссыл керный совисади се в осн сочин Прошу вас попрповVЕ. Да освя Ридам уда).

**PDF Под конкреRек проп.

**И там.

фактичи.

П, кипий зв--. Рерим помМем а вовх Но иреMинну роз Хоч про помож изостачу тене повернорме требо від транслитауке проп.)

Даю норм отт Вн п?

(банню какоеду то може писала да дета.

Ха чепкой)

В проянуй скреб ва в рамков консОтит ече коне ин. тадобст мастат разъную; Рикое.)

Захоч сам вам помочь, провид ино, начав лишь бы валя))

Note, ниже привожилось важные извинения за погоБОРен.. Так репла