Eupec FF50R12RT4 — IGBT-модуль (полумост)

Описание

FF50R12RT4 — силовой IGBT-модуль производства eupec (ныне Infineon Technologies), выполненный по топологии полумост (Half-Bridge). Модуль содержит два IGBT-ключа с встречно-параллельными FRD-диодами (Fast Recovery Diode). Относится к семейству IGBT 4-го поколения (Trench/Fieldstop) с низкими потерями и высокой стойкостью к короткому замыканию.

Применяется в:

• промышленных преобразователях частоты (VFD/инверторы);
• источниках бесперебойного питания (UPS);
• сварочном оборудовании;
• импульсных источниках питания;
• приводах электродвигателей;
• индукционном нагреве.

Корпус — 62 mm стандарт (Industrial Standard Package), изолированная медная подложка, керамика Al₂O₃.

Технические характеристики (типовые)

| Параметр | Значение | |---|---| | Конфигурация | Half-Bridge (2 IGBT + 2 FRD) | | Vces (напряжение коллектор-эмиттер) | 1200 В | | Ic (номинальный ток, Tc=80°C) | 50 А | | Icm (импульсный ток, 1 мс) | 100 А (тип.) | | Vce(sat) при Ic=50A, Vge=15V | ~1,7…1,85 В (тип., 25°C) | | Vf диода при If=50A | ~1,8 В (тип.) | | Время включения ton | ~90 нс (тип.) | | Время выключения toff | ~280 нс (тип.) | | Заряд затвора Qg | ~250 нКл (тип.) | | Входная ёмкость Cies | ~3,3 нФ | | Сопротивление изоляции (Visol) | 2500 В AC / 1 мин | | Рабочая температура перехода Tj | −40…+150 °C | | Тепловое сопротивление Rth(j-c) IGBT | ~0,45 K/Вт | | Тепловое сопротивление Rth(j-c) диода | ~0,65 K/Вт | | Корпус | 62 mm (semiconductor standard) | | Крепление | винтовые зажимы M5 | | Соответствие | RoHS, UL |

⚠️ Точные значения параметров уточняйте в оригинальном datasheet eupec/Infineon (документ обычно маркируется как «FF50R12RT4 Datasheet»). Разброс между ревизиями возможен.

Парт-номера (варианты маркировки / заказные коды)

• FF50R12RT4 (основной артикул)
• FF50R12RT4_B11 — вариант с улучшенной изоляцией/термоциклированием
• FF50R12RT4E3 — вариант исполнения (буква E — Eaton/упаковка у некоторых дистрибьюторов; уточняйте у поставщика)
• Кросс-аналоги: Infineon FF50R12RT4, FF50R12RT4E, FF50R12KT4 (отличие — KT версия с другой внутренней拓扑ологией/кристаллами), FF75R12RT4, FF100R12RT4 (более мощные)

⚠️ У eupec/Infineon суффиксы могут обозначать ревизию кристалла, тип изоляции или упаковку. Рекомендую сверять конкретный код в каталоге Infineon (eShop) или у дистрибьютора (Mouser, Digi-Key, TTI).

Совместимые модели (аналоги/замены)

Модули того же форм-фактора и класса 1200 В Half-Bridge, которые часто используются как замена (при проверке схемы и теплового расчета):

• Infineon FF50R12RT4 (прямой наследник eupec)
• Infineon FF50R12KT4
• Infineon FF50R12RT4_B11
• Infineon FF75R12RT4 (75 А — с запасом по току)
• Semikron SKM50GB12T4 (аналог по классу, другой корпус)
• Fuji 2MBI50N-120
• Mitsubishi CM50DU-24H (класс 1200В, half-bridge)
• IXYS MKI50-12E6

⚠️ Прямая замена возможна только при совпадении посадочных размеров и теплового режима. Semikron/Fuji/Mitsubishi — конструктивно другие корпуса, требуют пересмотра крепежа и DCB-схемы.

Рекомендации

1. Для замены ищите Infineon FF50R12RT4 — это актуальный аналог (eupec вошёл в Infineon в 1999 г., производство eupec прекращено).
2. Проверяйте суффикс (B11, E и т. п.) — он может влиять на изоляцию и термоциклы.
3. Перед монтажом — термопаста и рекомендуемый момент затяжки (обычно 2,5–3 Н·м для M5).

Если нужно — могу составить таблицу сравнения с конкретным аналогом или помочь подобрать замену под вашу схему (напряжение DC-шины, коммутационный ток, частота ШИМ).