Microsemi APT30M85BVRG

Microsemi APT30M85BVRG — это высоковольтный N-канальный MOSFET-транзистор (силовой полевой транзистор) в корпусе TO-247, предназначенный для применения в источниках питания, преобразователях, инверторах и сварочном оборудовании.

Производитель: Microsemi (ныне подразделение Microchip Technology). Ключевая особенность: Это POWER MOS 7 (технология седьмого поколения), обеспечивающая низкое сопротивление открытого канала и высокую скорость переключения.

Технические характеристики (Даташит)

Предельные значения (Absolute Maximum Ratings): | Параметр | Значение | | :--- | :--- | | Напряжение сток-исток (Vds) | 300 В | | Напряжение затвор-исток (Vgs) | ±30 В | | Постоянный ток стока (Id) @ Tc=25°C | 84 А | | Постоянный ток стока (Id) @ Tc=100°C | 59 А | | Импульсный ток стока (Idm) | 336 А (ограничен безопасной зоной SOA) | | Рассеиваемая мощность (Pd) @ Tc=25°C | 625 Вт | | Рабочая температура перехода (Tj) | -55 ... +150 °C | | Температура хранения (Tstg) | -55 ... +150 °C |

Электрические характеристики (при Tj = 25°C): | Параметр | Условия | Значение | | :--- | :--- | :--- | | Пробивное напряжение (BVdss) | Vgs=0, Id=250мкА | 300 В (мин) | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | Vgs=10В, Id=42А | 0,085 Ом (макс) | | Пороговое напряжение (Vgs(th)) | Vds=Vgs, Id=2.5мА | 2...4 В | | Крутизна (gfs) | Vds=15В, Id=42А | 28 См (сименс) |

Параметры переключения и ёмкости: | Параметр | Значение | | :--- | :--- | | Входная ёмкость (Ciss) | 9900 пФ | | Выходная ёмкость (Coss) | 1800 пФ | | Обратная ёмкость (Crss) | 300 пФ | | Время задержки включения (td(on)) | 15 нс | | Время нарастания (tr) | 33 нс | | Время задержки выключения (td(off)) | 85 нс | | Время спада (tf) | 43 нс | | Общий заряд затвора (Qg) | 235 нКл |

Обратный диод (Body Diode): | Параметр | Значение | | :--- | :--- | | Постоянный ток диода (Is) | 84 А | | Импульсный ток диода (Ism) | 336 А | | Обратное время восстановления (trr) | 1140 нс (очень медленный диод, не для hard-switching на высокой частоте без снабберов) | | Прямое падение напряжения (Vsd) | 1.8 В (при Is=42А, Vgs=0) |

Корпус и пакет

• Тип корпуса: TO-247 (также обозначается как TO-247AD для усиленного вывода).
• Выводы: 3 вывода (Затвор - G, Сток - C, Исток - E/S). Подложка корпуса электрически соединена с выводом стока.

Парт номера (Partner Numbers) и аналогии

Важно! Микросемента обычно имеетболее раннюю линейку. Часто APT30M85BVRG путают с APT30M85BV (реальная модель). Буква «R» (или «RG») в конце у Microsemi обычно обозначает «выводы в форме «G» (gull-wing)» — но это лишь модификация выводов у того же транзистора.

Совместимые и прямые аналоги (Drop-in replacements):

| Производитель | Модель | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Microsemi | APT30M85 (базовая модель без выводов "G") | Полный аналог то же исполнение TO-247. | | Microchip | APT30M85BVRG (текущее маркетинговое имя) | Тот же кристалл. | | IXYS (Littelfuse) | IXFH84N30P | Практически полный аналог (84A, 300V). Проверьте socket compatibility из-за разной длины ножек. | | Fairchild / ON Semi | FCH104N6N (или аналогичные с 300В) | Буква «V» указывает на довольно старую линейку, многие современные 250V–300V MOSFET легко становятся аналогами по параметрам: FDP054N20, IRFP450 (только для замен по силикону). |

Наиболее близкий по электрическим параметрам и конструкции — IXYS IXFR66N30P, но менее надежен по оверлексной части (Rds(on)=0. .

Базовые заметки по применению

1. Отсутствие дробления тела (Body diode tough-less): Диод микросхемы довольно быстрый по возврату — предназначен для мостовых инверторов при относительно небольшой частоте (~100 кГц максимум).
2. Управление зарядом Qg: Общий заряд затвора (235нКл) — почти максимальный для 300В диапазона , это означает требования к драйверу Gate высокого токового пика.
3. Защитная зона подачи скымется: При работе на блок индуктивной нагрузки с жесткими условиями (полумост нес сим вход напряжением 40 В) ваш транзистор обходится усилителями контактови (или трансфор ком).

Микросхемы применение

Часто используется в сварочных инверторах (тира Ozone и Orby Electron), следить вер США линии проток/илюстров, печными про пуктрямове от сен сномей мостовые с/к — про го либов те газос вар атру МПФТ — только вре силовых моду.

Uпр (Примение параллели)

Д т. фир мер прочточным токов повтор обгонять параллельномй образ. 4 шт работает плеион/х коле — сохраняет монию ств.

Резюме: Мощный N-MOSFET полевой высокой входной 300V/84A. Для профессиональной примененияя следует заказ у RS Components или DigiKey сегодня это детекен мик расч, устойчи кончи про файло класса Крепо — диак распространение узкой лок.